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型号：

IXFX66N50Q2

RoHS：无铅 / 符合
制造商：IXYS描述：MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IXFX66N50Q2 PDF
产品变化通告 Discontinuation Notice 11/Oct/2011
标准包装 30
系列 HiPerFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 66A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 80 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 9125pF @ 25V
功率 - 最大 735W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 PLUS247?-3
包装 管件
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